2 dyuymli 50,8 mm silikon karbidli SiC gofretlari, lehimlangan Si N-turdagi ishlab chiqarish tadqiqotlari va qo'g'irchoq darajasi
2 dyuymli 4H-N qotishmagan SiC plitalari uchun parametrik mezonlarga quyidagilar kiradi
Substrat materiali: 4H kremniy karbidi (4H-SiC)
Kristall tuzilishi: tetrahexahedral (4H)
Doping: Dopingsiz (4H-N)
Hajmi: 2 dyuym
O'tkazuvchanlik turi: N-turi (n-qo'shilgan)
O'tkazuvchanlik: Yarimo'tkazgich
Bozor istiqboli: 4H-N lehimlanmagan SiC plastinkalari yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, past o'tkazuvchanlik yo'qotilishi, yuqori haroratga chidamliligi va yuqori mexanik barqarorlik kabi ko'plab afzalliklarga ega va shuning uchun elektr elektronikasi va RF dasturlarida keng bozor istiqbollariga ega. Qayta tiklanadigan energiya, elektr transport vositalari va aloqa vositalarining rivojlanishi bilan yuqori samaradorlik, yuqori haroratli ishlash va yuqori quvvatga chidamlilik xususiyatlariga ega qurilmalarga talab ortib bormoqda, bu esa 4H-N lehimlanmagan SiC plastinkalari uchun kengroq bozor imkoniyatlarini yaratadi.
Foydalanish: 2 dyuymli 4H-N lehimlanmagan SiC plitalari turli xil quvvat elektronikasi va RF qurilmalarini ishlab chiqarish uchun ishlatilishi mumkin, jumladan, lekin ular bilan cheklanmagan holda:
1--4H-SiC MOSFETlari: Yuqori quvvat/yuqori haroratli ilovalar uchun metall oksidi yarimo'tkazgichli maydon effekti tranzistorlari. Ushbu qurilmalar yuqori samaradorlik va ishonchlilikni ta'minlash uchun past o'tkazuvchanlik va kommutatsiya yo'qotishlariga ega.
2--4H-SiC JFETlari: RF quvvat kuchaytirgichi va kommutatsiya dasturlari uchun ulanish FETlari. Ushbu qurilmalar yuqori chastotali ishlash va yuqori issiqlik barqarorligini ta'minlaydi.
3--4H-SiC Schottky diodlari: Yuqori quvvat, yuqori harorat, yuqori chastotali dasturlar uchun diodlar. Ushbu qurilmalar past o'tkazuvchanlik va kommutatsiya yo'qotishlari bilan yuqori samaradorlikni ta'minlaydi.
4--4H-SiC Optoelektronik Qurilmalar: Yuqori quvvatli lazer diodlari, UV detektorlari va optoelektronik integral mikrosxemalar kabi sohalarda qo'llaniladigan qurilmalar. Ushbu qurilmalar yuqori quvvat va chastota xususiyatlariga ega.
Xulosa qilib aytganda, 2 dyuymli 4H-N lehimlanmagan SiC plastinkalari, ayniqsa, elektr elektronikasi va RFda keng ko'lamli qo'llanilish imkoniyatlariga ega. Ularning yuqori ishlashi va yuqori haroratli barqarorligi ularni an'anaviy kremniy materiallarini yuqori samarali, yuqori haroratli va yuqori quvvatli qo'llanmalar bilan almashtirish uchun kuchli nomzodga aylantiradi.
Batafsil diagramma
