3 dyuymli 76,2 mm 4H-Yarim SiC substratli gofretli kremniy karbidli yarim tajovuzkor SiC gofretlari

3 dyuymli 4H yarim izolyatsiyalangan SiC (kremniy karbid) substrat gofretlari tez-tez ishlatiladigan yarimo'tkazgich materialidir. 4H tetraheksaedr kristall tuzilishini bildiradi. Yarim izolyatsiyalash substratning yuqori qarshilik ko'rsatkichlariga ega ekanligini va oqim oqimidan biroz ajratilishi mumkinligini anglatadi.

Bunday substrat gofretlari quyidagi xususiyatlarga ega: yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi, past o'tkazuvchanlik yo'qotilishi, mukammal yuqori harorat qarshiligi va mukammal mexanik va kimyoviy barqarorlik. Silikon karbid keng energiya bo'shlig'iga ega va yuqori harorat va yuqori elektr maydon sharoitlariga bardosh bera olganligi sababli, 4H-SiC yarim izolyatsiyalangan gofretlar quvvat elektroniği va radio chastotasi (RF) qurilmalarida keng qo'llaniladi.

4H-SiC yarim izolyatsiyalangan gofretlarning asosiy qo'llanilishi quyidagilardan iborat:

1 - Quvvat elektroniği: 4H-SiC gofretlari MOSFET (Metal oksidi yarimo'tkazgichli maydon effektli tranzistorlar), IGBT (izolyatsiyalangan eshik bipolyar tranzistorlar) va Schottky diodlari kabi quvvatni almashtirish moslamalarini ishlab chiqarish uchun ishlatilishi mumkin. Ushbu qurilmalar yuqori kuchlanish va yuqori haroratli muhitda kamroq o'tkazuvchanlik va kommutatsiya yo'qotishlariga ega va yuqori samaradorlik va ishonchlilikni ta'minlaydi.

2--Radiochastota (RF) qurilmalari: 4H-SiC yarim izolyatsiyalangan gofretlar yuqori quvvatli, yuqori chastotali chastotali quvvat kuchaytirgichlarini, chip rezistorlarini, filtrlarni va boshqa qurilmalarni ishlab chiqarish uchun ishlatilishi mumkin. Silikon karbid kattaroq elektron to'yinganlik tezligi va yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi tufayli yuqori chastotali ishlash va termal barqarorlikka ega.

3--Optoelektronik qurilmalar: 4H-SiC yarim izolyatsiyalangan gofretlar yuqori quvvatli lazerli diodlar, UV nurlari detektorlari va optoelektronik integral mikrosxemalarni ishlab chiqarish uchun ishlatilishi mumkin.

Bozor yo'nalishi bo'yicha, 4H-SiC yarim izolyatsiyalangan gofretlarga bo'lgan talab kuch elektronikasi, RF va optoelektronikaning o'sib borayotgan sohalari bilan ortib bormoqda. Bu kremniy karbidning energiya samaradorligi, elektr transport vositalari, qayta tiklanadigan energiya va aloqa kabi keng ko'lamli ilovalarga ega ekanligi bilan bog'liq. Kelajakda 4H-SiC yarim izolyatsiyalangan gofretlar bozori juda istiqbolli bo'lib qolmoqda va turli xil ilovalarda an'anaviy kremniy materiallarini almashtirish kutilmoqda.