GaAs lazerli epitaksial plastinka 4 dyuymli 6 dyuymli VCSEL vertikal bo'shliq yuzasi emissiya lazer to'lqin uzunligi 940 nm bitta birikma

GaAs lazer epitaksial plastinkasi 4 dyuymli 6 dyuymli VCSEL vertikal bo'shliq yuzasi emissiya lazer to'lqin uzunligi 940 nm bitta birikma Tavsiya etilgan rasm

Qisqacha tavsif:

Yuqori bir xillik uchun mijoz tomonidan belgilangan Gigabit Ethernet lazer massivlari 6 dyuymli plastinkalar 850/940nm markaziy optik to'lqin uzunligi oksidi cheklangan yoki proton implantatsiyasi qilingan VCSEL raqamli ma'lumotlar aloqasi, lazer sichqonchasining elektr va optik xususiyatlari haroratga past sezgirlik. VCSEL-940 bitta ulanish - bu odatda 940 nanometr atrofida emissiya to'lqin uzunligiga ega vertikal bo'shliq yuzasini chiqaradigan lazer (VCSEL). Bunday lazerlar odatda bitta kvant qudug'idan iborat va samarali yorug'lik emissiyasini ta'minlashga qodir. 940 nanometr to'lqin uzunligi uni infraqizil spektrda, turli xil ilovalar uchun mos qiladi. Boshqa turdagi lazerlar bilan taqqoslaganda, VCsellar yuqori elektro-optik konvertatsiya samaradorligiga ega. VCSEL to'plami nisbatan kichik va integratsiya qilish oson. VCSEL-940 ning keng qo'llanilishi uni zamonaviy texnologiyalarda muhim rol o'ynashiga olib keldi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Xususiyatlari

GaAs lazer epitaksial varag'ining asosiy xususiyatlari quyidagilarni o'z ichiga oladi

1. Bir bo'g'inli struktura: Bu lazer odatda bitta kvant qudug'idan iborat bo'lib, u samarali yorug'lik chiqarishni ta'minlay oladi.
2. To'lqin uzunligi: 940 nm to'lqin uzunligi uni infraqizil spektr diapazonida, turli xil ilovalar uchun mos qiladi.
3. Yuqori samaradorlik: Boshqa turdagi lazerlar bilan taqqoslaganda, VCSEL yuqori elektro-optik konversiya samaradorligiga ega.
4. Yilnilik: VCSEL paketi nisbatan kichik va integratsiya qilish oson.

5. Past chegaraviy tok va yuqori samaradorlik: Ko'milgan heterostrukturali lazerlar juda past lazerlash chegaraviy tok zichligini (masalan, 4mA/sm²) va yuqori tashqi differentsial kvant samaradorligini (masalan, 36%) namoyish etadi, chiziqli chiqish quvvati 15 mVt dan oshadi.
6. To'lqin yo'nalishi rejimining barqarorligi: Ko'milgan heterostrukturali lazer o'zining sinish ko'rsatkichi bo'yicha boshqariladigan to'lqin yo'nalishi mexanizmi va tor faol chiziq kengligi (taxminan 2 μm) tufayli to'lqin yo'nalishi rejimining barqarorligi afzalliklariga ega.
7. Ajoyib fotoelektrik konversiya samaradorligi: Epitaksial o'sish jarayonini optimallashtirish orqali ichki yo'qotishlarni kamaytirish uchun yuqori ichki kvant samaradorligi va fotoelektrik konversiya samaradorligiga erishish mumkin.
8. Yuqori ishonchlilik va umr ko'rish muddati: yuqori sifatli epitaksial o'sish texnologiyasi yaxshi sirt ko'rinishi va past nuqson zichligiga ega epitaksial varaqlarni tayyorlashi mumkin, bu mahsulotning ishonchliligi va umrini yaxshilaydi.
9. Turli xil ilovalar uchun mos: GAAS asosidagi lazer diodli epitaksial varaq optik tolali aloqa, sanoat qo'llanmalari, infraqizil va fotodetektorlar va boshqa sohalarda keng qo'llaniladi.

GaAs lazer epitaksial varag'ining asosiy qo'llanilish usullari quyidagilarni o'z ichiga oladi

1. Optik aloqa va ma'lumotlar uzatish: GaAs epitaksial plastinkalari optik aloqa sohasida, ayniqsa yuqori tezlikdagi optik aloqa tizimlarida lazerlar va detektorlar kabi optoelektron qurilmalarni ishlab chiqarish uchun keng qo'llaniladi.

2. Sanoat qo'llanmalari: GaAs lazer epitaksial varaqlari lazer bilan ishlov berish, o'lchash va sezish kabi sanoat qo'llanmalarida ham muhim qo'llanishga ega.

3. Iste'molchi elektronikasi: Iste'molchi elektronikasida GaAs epitaksial plastinkalari smartfonlar va boshqa iste'molchi elektronikasida keng qo'llaniladigan VCsellarni (vertikal bo'shliq yuzasini chiqaradigan lazerlar) ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.

4. RF qo'llanilishi: GaAs materiallari RF sohasida sezilarli afzalliklarga ega va yuqori samarali RF qurilmalarini ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.

5. Kvant nuqtali lazerlar: GAAS asosidagi kvant nuqtali lazerlar aloqa, tibbiyot va harbiy sohalarda, ayniqsa 1,31 µm optik aloqa diapazonida keng qo'llaniladi.

6. Passiv Q kaliti: GaAs absorberi passiv Q kaliti bilan diodli nasosli qattiq holatdagi lazerlar uchun ishlatiladi, bu mikro ishlov berish, masofani o'lchash va mikrojarrohlik uchun mos keladi.

Ushbu ilovalar GaAs lazerli epitaksial plastinkalarining yuqori texnologiyali dasturlarning keng doiradagi salohiyatini namoyish etadi.

XKH mijozlar talablariga moslashtirilgan turli xil tuzilmalar va qalinlikdagi GaAs epitaksial plastinkalarini taklif etadi, ular VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G bazaviy stansiyalari va boshqalar kabi keng ko'lamli dasturlarni qamrab oladi. XKH mahsulotlari yuqori unumdorlik va ishonchlilikni ta'minlash uchun ilg'or MOCVD uskunalari yordamida ishlab chiqariladi. Logistika nuqtai nazaridan bizda keng ko'lamli xalqaro manba kanallari mavjud, buyurtmalar sonini moslashuvchan ravishda qayta ishlashimiz va yupqalashtirish, segmentatsiya qilish va boshqalar kabi qo'shimcha qiymatli xizmatlarni taqdim etishimiz mumkin. Samarali yetkazib berish jarayonlari o'z vaqtida yetkazib berishni ta'minlaydi va mijozlarning sifat va yetkazib berish muddatlari bo'yicha talablariga javob beradi. Yetib kelgandan so'ng, mijozlar mahsulotning muammosiz ishlatilishini ta'minlash uchun keng qamrovli texnik yordam va sotishdan keyingi xizmatdan foydalanishlari mumkin.