Safir monokristalli Al2O3 o'sish pechi KY usuli bilan yuqori sifatli safir kristalini ishlab chiqarish
Mahsulot bilan tanishtirish
Kyropoulos usuli - bu yuqori sifatli sapfir kristallarini yetishtirish usuli bo'lib, uning asosiy maqsadi harorat maydoni va kristall o'sish sharoitlarini aniq nazorat qilish orqali sapfir kristallarining bir tekis o'sishiga erishishdir. KY ko'piklash usulining sapfir quymasiga o'ziga xos ta'siri quyidagicha:
1. Yuqori sifatli kristall o'sishi:
Kam nuqson zichligi: KY pufakchalarini o'stirish usuli sekin sovutish va aniq haroratni nazorat qilish orqali kristall ichidagi dislokatsiya va nuqsonlarni kamaytiradi va yuqori sifatli sapfir quymasini o'stiradi.
Yuqori bir xillik: Bir xil issiqlik maydoni va o'sish tezligi kristallarning izchil kimyoviy tarkibi va fizik xususiyatlarini ta'minlaydi.
2. Katta o'lchamli kristall ishlab chiqarish:
Katta diametrli quyma: KY pufakchalarini o'stirish usuli sanoatning katta o'lchamli substratlarga bo'lgan ehtiyojini qondirish uchun diametri 200 mm dan 300 mm gacha bo'lgan katta o'lchamli sapfir quymalarini o'stirish uchun javob beradi.
Kristall quyma: O'sish jarayonini optimallashtirish orqali materialdan foydalanish darajasini yaxshilash uchun uzunroq kristall quyma yetishtirilishi mumkin.
3. Yuqori optik ishlash:
Yuqori yorug'lik o'tkazuvchanligi: KY o'sish sapfir kristalli quymasi ajoyib optik xususiyatlarga ega, yuqori yorug'lik o'tkazuvchanligi, optik va optoelektronik ilovalar uchun mos keladi.
Past yutilish darajasi: Kristalldagi yorug'likning yutilish yo'qotilishini kamaytiring, optik qurilmalarning samaradorligini oshiring.
4. Ajoyib issiqlik va mexanik xususiyatlar:
Yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi: Safir quymasining yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi yuqori quvvatli qurilmalarning issiqlik tarqalish talablariga javob beradi.
Yuqori qattiqlik va aşınmaya bardoshlilik: Safir Mohs qattiqligi 9 ga teng, bu esa aşınmaya bardoshli qismlar ishlab chiqarish uchun mos bo'lgan olmosdan keyin ikkinchi o'rinda turadi.
Kyropoulos usuli - bu yuqori sifatli sapfir kristallarini yetishtirish usuli bo'lib, uning asosiy maqsadi harorat maydoni va kristall o'sish sharoitlarini aniq nazorat qilish orqali sapfir kristallarining bir tekis o'sishiga erishishdir. KY ko'piklash usulining sapfir quymasiga o'ziga xos ta'siri quyidagicha:
1. Yuqori sifatli kristall o'sishi:
Kam nuqson zichligi: KY pufakchalarini o'stirish usuli sekin sovutish va aniq haroratni nazorat qilish orqali kristall ichidagi dislokatsiya va nuqsonlarni kamaytiradi va yuqori sifatli sapfir quymasini o'stiradi.
Yuqori bir xillik: Bir xil issiqlik maydoni va o'sish tezligi kristallarning izchil kimyoviy tarkibi va fizik xususiyatlarini ta'minlaydi.
2. Katta o'lchamli kristall ishlab chiqarish:
Katta diametrli quyma: KY pufakchalarini o'stirish usuli sanoatning katta o'lchamli substratlarga bo'lgan ehtiyojini qondirish uchun diametri 200 mm dan 300 mm gacha bo'lgan katta o'lchamli sapfir quymalarini o'stirish uchun javob beradi.
Kristall quyma: O'sish jarayonini optimallashtirish orqali materialdan foydalanish darajasini yaxshilash uchun uzunroq kristall quyma yetishtirilishi mumkin.
3. Yuqori optik ishlash:
Yuqori yorug'lik o'tkazuvchanligi: KY o'sish sapfir kristalli quymasi ajoyib optik xususiyatlarga ega, yuqori yorug'lik o'tkazuvchanligi, optik va optoelektronik ilovalar uchun mos keladi.
Past yutilish darajasi: Kristalldagi yorug'likning yutilish yo'qotilishini kamaytiring, optik qurilmalarning samaradorligini oshiring.
4. Ajoyib issiqlik va mexanik xususiyatlar:
Yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi: Safir quymasining yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi yuqori quvvatli qurilmalarning issiqlik tarqalish talablariga javob beradi.
Yuqori qattiqlik va aşınmaya bardoshlilik: Safir Mohs qattiqligi 9 ga teng, bu esa aşınmaya bardoshli qismlar ishlab chiqarish uchun mos bo'lgan olmosdan keyin ikkinchi o'rinda turadi.
Texnik parametrlar
| Ism | Ma'lumotlar | Effekt |
| O'sish hajmi | Diametri 200 mm-300 mm | Katta o'lchamli substrat ehtiyojlarini qondirish, ishlab chiqarish samaradorligini oshirish uchun katta o'lchamli sapfir kristalini taqdim eting. |
| Harorat oralig'i | Maksimal harorat 2100°C, aniqlik ±0,5°C | Yuqori haroratli muhit kristallarning o'sishini ta'minlaydi, aniq haroratni nazorat qilish kristall sifatini ta'minlaydi va nuqsonlarni kamaytiradi. |
| O'sish tezligi | 0,5 mm/soat - 2 mm/soat | Kristall o'sish tezligini nazorat qiling, kristall sifatini va ishlab chiqarish samaradorligini optimallashtiring. |
| Isitish usuli | Volfram yoki molibden isitgichi | Kristall o'sishi paytida haroratning izchilligini ta'minlash va kristall bir xilligini yaxshilash uchun yagona issiqlik maydonini ta'minlaydi. |
| Sovutish tizimi | Samarali suv yoki havo sovutish tizimlari | Uskunaning barqaror ishlashini ta'minlash, qizib ketishining oldini olish va uskunaning ishlash muddatini uzaytirish. |
| Boshqaruv tizimi | PLC yoki kompyuter boshqaruv tizimi | Ishlab chiqarish aniqligi va samaradorligini oshirish uchun avtomatlashtirilgan ishlash va real vaqt rejimida monitoringni amalga oshiring. |
| Vakuum muhiti | Yuqori vakuum yoki inert gaz himoyasi | Kristallning sofligi va sifatini ta'minlash uchun kristall oksidlanishining oldini oling. |
Ish printsipi
KY usulidagi safir kristalli pechning ishlash printsipi KY usuli (pufakcha o'sish usuli) kristalli o'sish texnologiyasiga asoslangan. Asosiy printsip quyidagilardan iborat:
1. Xom ashyoni eritish: Volfram tigeliga to'ldirilgan Al2O3 xom ashyosi isitgich orqali erish nuqtasiga qadar qizdirilib, erigan sho'rva hosil qiladi.
2. Urug' kristalli bilan aloqa: Eritilgan suyuqlikning suyuqlik darajasi barqarorlashgandan so'ng, urug' kristalli eritilgan suyuqlikka botiriladi, uning harorati eritilgan suyuqlik ustidan qat'iy nazorat qilinadi va urug' kristalli va eritilgan suyuqlik qattiq-suyuqlik chegarasida urug' kristalli bilan bir xil kristall tuzilishga ega kristallar o'sishni boshlaydi.
3. Kristal bo'yin hosil bo'lishi: Urug' kristali juda sekin tezlikda yuqoriga aylanadi va ma'lum vaqt davomida tortilib, kristal bo'yin hosil qiladi.
4. Kristal o'sishi: Suyuqlik va urug' kristalli orasidagi interfeysning qattiqlashish tezligi barqaror bo'lgandan so'ng, urug' kristalli endi tortilmaydi va aylanmaydi, faqat sovutish tezligini boshqaradi, kristallni yuqoridan pastga qarab asta-sekin qattiqlashtiradi va nihoyat to'liq sapfir yakka kristallini o'stiradi.
O'sishdan keyin safir kristalli quymalardan foydalanish
1. LED substrat:
Yuqori yorqinlikdagi LED: Safir quymasi substratga kesilgandan so'ng, u yorug'lik, displey va orqa yorug'lik sohalarida keng qo'llaniladigan GAN asosidagi LEDni ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.
Mini/Micro LED: Safir substratining yuqori tekisligi va past nuqson zichligi yuqori aniqlikdagi Mini/Micro LED displeylarini ishlab chiqarish uchun mos keladi.
2. Lazer diodi (LD):
Moviy lazerlar: Safir substratlari ma'lumotlarni saqlash, tibbiy va sanoat qayta ishlash uchun mo'ljallangan ko'k lazer diodlarini ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.
Ultrabinafsha lazer: Sapphire'ning yuqori yorug'lik o'tkazuvchanligi va termal barqarorligi ultrabinafsha lazerlarni ishlab chiqarish uchun mos keladi.
3. Optik oyna:
Yuqori yorug'lik o'tkazuvchanligi oynasi: Safir quymasi lazerlar, infraqizil qurilmalar va yuqori darajadagi kameralar uchun optik oynalar ishlab chiqarishda ishlatiladi.
Aşınmaya bardoshli oyna: Safirning yuqori qattiqligi va aşınmaya bardoshliligi uni qattiq muhitlarda foydalanish uchun mos qiladi.
4. Yarimo'tkazgichli epitaksial substrat:
GaN epitaksial o'sishi: Safir substratlari yuqori elektron harakatchanlik tranzistorlari (HEMT) va RF qurilmalarini ishlab chiqarish uchun GaN epitaksial qatlamlarini o'stirish uchun ishlatiladi.
AlN epitaksial o'sishi: chuqur ultrabinafsha LEDlar va lazerlarni ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.
5. Iste'molchi elektronikasi:
Smartfon kamerasi uchun qopqoq: Safir quymasi yuqori qattiqlik va tirnalishga chidamli kamera uchun qopqoq tayyorlash uchun ishlatiladi.
Aqlli soat oynasi: Sapphire'ning yuqori aşınma qarshiligi uni yuqori darajadagi aqlli soat oynasini ishlab chiqarish uchun mos qiladi.
6. Sanoat qo'llanmalari:
Eskirish qismlari: Safir quymasi podshipniklar va nozullar kabi sanoat uskunalari uchun aşınma qismlarini ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.
Yuqori harorat sensorlari: Safirning kimyoviy barqarorligi va yuqori harorat xususiyatlari yuqori harorat sensorlarini ishlab chiqarish uchun javob beradi.
7. Aerokosmik:
Yuqori haroratli derazalar: Safir quymasi aerokosmik uskunalari uchun yuqori haroratli derazalar va sensorlar ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.
Korroziyaga chidamli qismlar: Safirning kimyoviy barqarorligi uni korroziyaga chidamli qismlar ishlab chiqarish uchun mos qiladi.
8. Tibbiy uskunalar:
Yuqori aniqlikdagi asboblar: Safir quymasi skalpellar va endoskoplar kabi yuqori aniqlikdagi tibbiy asboblarni ishlab chiqarish uchun ishlatiladi.
Biosensorlar: Safirning biomosligi uni biosensorlar ishlab chiqarish uchun mos qiladi.
XKH mijozlarga foydalanish jarayonida keng qamrovli, o'z vaqtida va samarali yordam olishlarini ta'minlash uchun mijozlarga bir martalik KY jarayoni sapfir pechi uskunalari xizmatlarining to'liq spektrini taqdim etishi mumkin.
1. Uskunalar savdosi: Mijozlarning ishlab chiqarish ehtiyojlarini qondirish uchun KY usulida sapfir pech uskunalarini sotish xizmatlarini, jumladan, turli modellarni, uskunalarni tanlashning texnik xususiyatlarini taqdim eting.
2. Texnik qo'llab-quvvatlash: mijozlarga uskunalarni o'rnatish, ishga tushirish, ishlatish va texnik qo'llab-quvvatlashning boshqa jihatlarini taqdim etish, uskunaning normal ishlashini va eng yaxshi ishlab chiqarish natijalariga erishishini ta'minlash.
3. O'qitish xizmatlari: Mijozlarga uskunalarni ishlatish, texnik xizmat ko'rsatish va o'qitish xizmatlarining boshqa jihatlarini taqdim etish, mijozlarga uskunalarni ishlatish jarayoni bilan tanishishga yordam berish, uskunalardan foydalanish samaradorligini oshirish.
4. Shaxsiylashtirilgan xizmatlar: Mijozlarning maxsus ehtiyojlariga muvofiq, uskunalarni loyihalash, ishlab chiqarish, o'rnatish va shaxsiylashtirilgan yechimlarning boshqa jihatlarini o'z ichiga olgan maxsus uskunalar xizmatlarini taqdim eting.
Batafsil diagramma
