ICP uchun 4 dyuymli 6 dyuymli gofret ushlagichi uchun SiC keramik plastinka/laganda

ICP Tavsiya etilgan tasvir uchun 4 dyuymli 6 dyuymli gofret ushlagichi uchun SiC keramik plastinka/laganda

Qisqacha tavsif:

SiC keramik plitasi yuqori sifatli silikon karbiddan ishlab chiqarilgan yuqori samarali komponent bo'lib, ekstremal termal, kimyoviy va mexanik muhitda foydalanish uchun mo'ljallangan. O'zining ajoyib qattiqligi, issiqlik o'tkazuvchanligi va korroziyaga chidamliligi bilan mashhur bo'lgan SiC plitasi yarimo'tkazgich, LED, fotovoltaik va aerokosmik sanoatda gofret tashuvchisi, sezgir yoki strukturaviy komponent sifatida keng qo'llaniladi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Xususiyatlari

SiC sopol plitasi Annotatsiya

1600 ° C gacha bo'lgan ajoyib termal barqarorlik va reaktiv gazlar va plazma muhitlariga mukammal qarshilik bilan SiC plitasi yuqori haroratli qirqish, cho'kish va diffuziya jarayonlarida barqaror ishlashni ta'minlaydi. Uning zich, g'ovak bo'lmagan mikro tuzilishi zarrachalar hosil bo'lishini kamaytiradi, bu esa uni vakuum yoki toza xonada o'ta toza ilovalar uchun ideal qiladi.

SiC sopol plitasi Qo'llanilishi

1. Yarimo'tkazgichlar ishlab chiqarish

SiC keramik plitalari odatda CVD (Kimyoviy bug 'cho'kishi), PVD (fizik bug'ning cho'kishi) va o'yma tizimlari kabi yarimo'tkazgichlarni ishlab chiqarish uskunalarida gofret tashuvchilar, sezgichlar va poydevor plitalari sifatida ishlatiladi. Ularning mukammal issiqlik o'tkazuvchanligi va past issiqlik kengayishi ularga yuqori aniqlikdagi gofretni qayta ishlash uchun juda muhim bo'lgan bir xil harorat taqsimotini saqlashga imkon beradi. SiC ning korroziy gazlar va plazmalarga chidamliligi og'ir muhitda chidamlilikni ta'minlaydi, zarrachalar ifloslanishini kamaytirishga va jihozlarga texnik xizmat ko'rsatishga yordam beradi.

2. LED sanoati - ICP Etching

LED ishlab chiqarish sohasida SiC plitalari ICP (induktiv ravishda bog'langan plazma) qirqish tizimlarining asosiy komponentlari hisoblanadi. Gofret ushlagichlari sifatida harakat qilib, ular plazma bilan ishlov berish jarayonida safir yoki GaN gofretlarini qo'llab-quvvatlash uchun barqaror va termal jihatdan mustahkam platformani ta'minlaydi. Ularning mukammal plazma qarshiligi, sirt tekisligi va o'lchov barqarorligi yuqori aniqlik va bir xillikni ta'minlashga yordam beradi, bu esa LED chiplarida rentabellik va qurilmaning ishlashiga olib keladi.

3. Fotovoltaiklar (PV) va Quyosh energiyasi

SiC keramik plitalari quyosh batareyasi ishlab chiqarishda, ayniqsa yuqori haroratli sinterlash va tavlanish bosqichlarida ham qo'llaniladi. Ularning yuqori haroratlarda inertligi va burilishga qarshi turish qobiliyati kremniy gofretlarini izchil qayta ishlashni ta'minlaydi. Bundan tashqari, ularning past ifloslanish xavfi fotovoltaik hujayralar samaradorligini saqlab qolish uchun juda muhimdir.

SiC keramik plitasi xususiyatlari

1. Istisno mexanik kuch va qattiqlik

SiC keramik plitalari juda yuqori mexanik kuchga ega, odatdagi egiluvchanlik kuchi 400 MPa dan oshadi va Vickers qattiqligi > 2000 HV ga etadi. Bu ularni mexanik aşınmaya, aşınmaya va deformatsiyaga yuqori darajada chidamli qiladi, hatto yuqori yuk yoki takroriy termal tsikl ostida ham uzoq xizmat qilish muddatini ta'minlaydi.

2. Yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi

SiC mukammal issiqlik o'tkazuvchanligiga ega (odatda 120-200 Vt / m · K), bu uning yuzasi bo'ylab issiqlikni teng ravishda taqsimlash imkonini beradi. Bu xususiyat haroratning bir xilligi mahsulot unumdorligi va sifatiga bevosita ta'sir qiladigan gofret bilan ishlov berish, cho'ktirish yoki sinterlash kabi jarayonlarda juda muhimdir.

3. Yuqori issiqlik barqarorligi

Yuqori erish nuqtasi (2700 ° C) va past termal kengayish koeffitsienti (4,0 × 10⁻⁶/K) bilan SiC keramik plitalari tez isitish va sovutish davrlarida o'lchov aniqligi va strukturaviy yaxlitlikni saqlaydi. Bu ularni yuqori haroratli pechlar, vakuum kameralari va plazma muhitlarida qo'llash uchun ideal qiladi.

Texnik xususiyatlari
indeks	Birlik	Qiymat
Material nomi		Reaktsiya sinterlangan kremniy karbid	Bosimsiz sinterlangan kremniy karbid	Qayta kristallangan kremniy karbid
Tarkibi		RBSiC	SSiC	R-SiC
Ommaviy zichlik	g/sm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Bukilish kuchi	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20 ° C) 90-100 (1400 ° C)
Siqilish kuchi	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Qattiqlik	Knoop	2700	2800	/
Chidamlilikni buzish	MPa m1/2	4.5	4	/
Issiqlik o'tkazuvchanligi	Vt/mk	95	120	23
Issiqlik kengayish koeffitsienti	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Maxsus issiqlik	Joul/g 0k	0,8	0,67	/
Havodagi maksimal harorat	℃	1200	1500	1600
Elastik modul	Gpa	360	410	240

SiC seramika plitasi Savol-javob

Savol: Silikon karbid plastinkasining xususiyatlari qanday?

A: Silikon karbid (SiC) plitalari yuqori quvvati, qattiqligi va termal barqarorligi bilan mashhur. Ular mukammal issiqlik o'tkazuvchanligi va past issiqlik kengayishini ta'minlaydi, ekstremal haroratlarda ishonchli ishlashni ta'minlaydi. SiC shuningdek, kimyoviy jihatdan inert, kislotalar, ishqorlar va plazma muhitlariga chidamli bo'lib, uni yarimo'tkazgich va LEDni qayta ishlash uchun ideal qiladi. Uning zich, silliq yuzasi zarrachalar hosil bo'lishini kamaytiradi va toza xonaga mosligini saqlaydi. SiC plitalari yarimo'tkazgich, fotovoltaik va aerokosmik sanoatda yuqori haroratli va korroziyali muhitda gofret tashuvchilar, sezgirlar va qo'llab-quvvatlovchi komponentlar sifatida keng qo'llaniladi.