Substrat
-
8 dyuymli P/N-tipli kremniy gofreti (100) 1-100 Ō qo'g'irchoqli qayta ishlash substrati
-
99,999% Al2O3 safir boul monokristal shaffof material
-
2 dyuymli SiC ingot Dia50.8mmx10mmt 4H-N monokristal
-
2 dyuymli 50,8 mm Silicon gofret FZ N-Type SSP
-
4 dyuymli Silicon gofret FZ CZ N-Type DSP yoki SSP Test darajasi
-
6 dyuymli SiC Epitaxiy gofret N/P turi moslashtirilgan qabul qilinadi
-
6 dyuymli N-Type yoki P-tipli Silicon gofret CZ Si gofret
-
SiO2 yupqa plyonkali termal oksidli kremniy gofreti 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym 12 dyuym
-
4 dyuymli SiC gofretlari 6H yarim izolyatsion SiC substratlari asosiy, tadqiqot va qo'g'irchoq darajali
-
6 dyuymli HPSI SiC substratli vaferli kremniy karbidli yarim haqoratli SiC gofretlari
-
4 dyuymli yarim haqoratli SiC gofretlari HPSI SiC substrat Prime ishlab chiqarish darajasi
-
3 dyuymli 76,2 mm 4H-Yarim SiC substratli gofretli kremniy karbidli yarim tajovuzkor SiC gofretlari