Substrat
-
3 dyuymli Dia76,2 mm SiC substratlari HPSI Prime Research va Dummy darajasi
-
4H-yarim HPSI 2 dyuymli SiC substratli gofret ishlab chiqarish qo'g'irchoq tadqiqot darajasi
-
2 dyuymli SiC gofretlari 6H yoki 4H yarim izolyatsion SiC substratlar Dia50,8 mm
-
8 dyuym 200 mm safir substrati sapfir gofreti yupqa qalinligi 1SP 2SP 0,5 mm 0,75 mm
-
Yagona kristalli Al2O3 99,999% Dia200 mm sapfir gofret, qalinligi 1,0 mm 0,75 mm
-
Elektrod Sapphire Substrate va Gofret C-tekisligi LED Substratlari
-
CarrierC-Plane DSP TTV uchun 156mm 159mm 6 dyuymli Sapphire Gofret
-
Dia101,6 mm 4 dyuymli M-tekis safir substratlar Gofretli LED substratlar qalinligi 500um
-
C/A/M o'qi 4 dyuymli sapfir gofretlari bitta kristalli Al2O3, SSP DSP yuqori qattiqlikdagi sapfir substrat
-
Dia50,8×0,1/0,17/0,2/0,25/0,3 mmt safir gofret substrati Epi-tayyor DSP SSP
-
4H-N 8 dyuymli SiC substratli gofret Silikon karbid qo'g'irchoqli tadqiqot darajasi 500 um qalinligi
-
8 dyuymli 200 mm silikon karbid SiC gofretlari 4H-N tipidagi ishlab chiqarish darajasi 500 um qalinligi