Substrat
-
Silikon karbid 4H-SiC yarim izolyatsion ingotda 6, soxta sinf
-
SiC Ingot 4H turi Dia 4inch 6inch Qalinligi 5-10mm Tadqiqot / Qo'g'irchoq daraja
-
6 dyuymli sapfir Boule sapfir bo'sh yagona kristalli Al2O3 99,999%
-
Sic substrat kremniy karbid gofreti 4H-N tipidagi yuqori qattiqlikdagi korroziyaga chidamlilik primer darajali polishing
-
2 dyuymli kremniy karbid gofreti 6H-N tipidagi asosiy darajali tadqiqot darajasidagi qo'g'irchoq darajasi 330 mkm 430 mikron qalinligi
-
2 dyuymli silikon karbidli substrat 6H-N ikki tomonlama sayqallangan diametri 50,8 mm ishlab chiqarish darajasidagi tadqiqot darajasi
-
p-turi 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC substrat 4 dyuym 〈111〉± 0,5°Nol MPD
-
SiC substrat P-tipi 4H/6H-P 3C-N 4 dyuym, qalinligi 350 um. Ishlab chiqarish darajasi
-
4H/6H-P 6 dyuymli SiC gofret Nol MPD darajasida ishlab chiqarish darajasi soxta sinf
-
P-tipli SiC gofreti 4H/6H-P 3C-N 6 dyuymli qalinligi 350 mkm, birlamchi tekis yoʻnaltirilgan
-
Kvars sapfiri BF33 gofretida TVG jarayoni Shisha gofretni teshish
-
Yagona kristalli kremniy gofreti Si substrat turi N/P ixtiyoriy silikon karbid gofreti