Substrat
-
Indiy antimonid (InSb) gofretlari N tipidagi P tipidagi Epi tayyor qo'llanilmagan Te yoki Ge qo'shilgan 2 dyuym 3 dyuymli 4 dyuymli qalinlikdagi indiy antimonid (InSb) gofretlari
-
SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym
-
sapphire ingot 3inch 4inch 6inch Monocrystal CZ KY usuli Moslashtirilgan
-
Lazerli tibbiy davolanish uchun GaAs yuqori quvvatli epitaksial gofret substrati galyum arsenidli gofret quvvatli lazer to'lqin uzunligi 905nm
-
GaAs lazer epitaksial gofreti 4 dyuym 6 dyuymli VCSEL vertikal bo'shliq yuzasi emissiya lazer to'lqin uzunligi 940 nm bitta ulanish
-
Optik tolali aloqa yoki LiDAR uchun 2 dyuymli 3 dyuymli 4 dyuymli InP epitaksial gofret substrati APD yorug'lik detektori
-
Sintetik sapfir materialidan yasalgan sapfir uzuk Shaffof va moslashtirilgan Mohs qattiqligi 9
-
2 dyuymli Sic kremniy karbid substrati 6H-N turi 0,33 mm 0,43 mm ikki tomonlama polishing Yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi past quvvat sarfi
-
Safir uzuk butunlay safirdan yasalgan uzuk. To'liq safirdan tayyorlangan. Laboratoriyada ishlab chiqarilgan shaffof safir materiali
-
Safir quyma diametri 4 dyuym× 80 mm monokristalli Al2O3 99,999% yagona kristall
-
Sapphire Prizma Safir linzalari Yuqori shaffoflik Al2O3 BK7 JGS1 JGS2 Materiallar Optik asbob
-
SiC substrat 3 dyuym 350 um qalinligi HPSI turi Prime Grade Dummy darajasi