3 dyuymli yuqori tozalikdagi yarim izolyatsiyalovchi （HPSI）SiC gofret 350um qo'g'irchoqli yuqori sifatli
Ilova
HPSI SiC plitalari turli xil yuqori samarali dasturlarda qo'llaniladigan keyingi avlod quvvat qurilmalarini ishga tushirishda muhim ahamiyatga ega:
Quvvatni o'zgartirish tizimlari: SiC plitalari elektr zanjirlarida samarali quvvatni o'zgartirish uchun juda muhim bo'lgan quvvatli MOSFETlar, diodlar va IGBTlar kabi quvvat qurilmalari uchun asosiy material bo'lib xizmat qiladi. Ushbu komponentlar yuqori samarali quvvat manbalarida, motor drayverlarida va sanoat invertorlarida mavjud.
Elektr transport vositalari (EV):Elektr transport vositalariga bo'lgan talabning ortib borishi yanada samaraliroq elektr elektronikasidan foydalanishni talab qiladi va SiC plastinkalari bu o'zgarishning oldingi qatorida turadi. Elektr transport vositalarining quvvat agregatlarida bu plastinkalar yuqori samaradorlik va tez almashtirish imkoniyatlarini ta'minlaydi, bu esa tezroq zaryadlash vaqtiga, uzoqroq masofaga va avtomobilning umumiy ishlashini yaxshilashga yordam beradi.
Qayta tiklanadigan energiya:Quyosh va shamol energiyasi kabi qayta tiklanadigan energiya tizimlarida SiC plastinkalari invertorlar va konvertorlarda qo'llaniladi, bu esa energiyani samaraliroq yig'ish va taqsimlash imkonini beradi. SiC ning yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi va yuqori darajadagi parchalanish kuchlanishi ushbu tizimlarning hatto ekstremal ekologik sharoitlarda ham ishonchli ishlashini ta'minlaydi.
Sanoat avtomatlashtirish va robototexnika:Sanoat avtomatlashtirish tizimlari va robototexnika sohasidagi yuqori samarali quvvat elektronikasi tez o'tishga, katta quvvat yuklarini boshqarishga va yuqori kuchlanish ostida ishlashga qodir qurilmalarni talab qiladi. SiC asosidagi yarimo'tkazgichlar, hatto og'ir ish muhitida ham yuqori samaradorlik va mustahkamlikni ta'minlash orqali ushbu talablarga javob beradi.
Telekommunikatsiya tizimlari:Yuqori ishonchlilik va samarali energiya konversiyasi juda muhim bo'lgan telekommunikatsiya infratuzilmasida SiC plastinalari quvvat manbalari va DC-DC konvertorlarida qo'llaniladi. SiC qurilmalari ma'lumotlar markazlari va aloqa tarmoqlarida energiya sarfini kamaytirishga va tizim ish faoliyatini yaxshilashga yordam beradi.
Yuqori quvvatli ilovalar uchun mustahkam poydevor yaratish orqali HPSI SiC plastinkasi energiya tejaydigan qurilmalarni ishlab chiqish imkonini beradi, bu esa sanoatning yanada ekologik toza va barqaror yechimlarga o'tishiga yordam beradi.
Mulklar
| operatsiya | Ishlab chiqarish darajasi | Tadqiqot darajasi | Soxta daraja |
| Diametri | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm | 75,0 mm ± 0,5 mm |
| Qalinligi | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Gofret yo'nalishi | O'q bo'ylab: <0001> ± 0,5° | O'q bo'ylab: <0001> ± 2.0° | O'q bo'ylab: <0001> ± 2.0° |
| Plastinkalarning 95% uchun mikroquvur zichligi (MPD) | ≤ 1 sm⁻² | ≤ 5 sm⁻² | ≤ 15 sm⁻² |
| Elektr qarshiligi | ≥ 1E7 Ω·sm | ≥ 1E6 Ω·sm | ≥ 1E5 Ω·sm |
| Qo'shimcha | Qo'shilmagan | Qo'shilmagan | Qo'shilmagan |
| Birlamchi tekislik yo'nalishi | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| Birlamchi tekis uzunlik | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Ikkilamchi tekis uzunlik | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Ikkilamchi tekislik yo'nalishi | Si yuqoriga qaragan holda: asosiy tekislikdan 90° CW ± 5.0° | Si yuqoriga qaragan holda: asosiy tekislikdan 90° CW ± 5.0° | Si yuqoriga qaragan holda: asosiy tekislikdan 90° CW ± 5.0° |
| Chegara istisnosi | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ±30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ±40 µm / 45 µm |
| Sirt pürüzlülüğü | C-yuz: Jilolangan, Si-yuz: CMP | C-yuz: Jilolangan, Si-yuz: CMP | C-yuz: Jilolangan, Si-yuz: CMP |
| Yoriqlar (yuqori intensivlikdagi yorug'lik bilan tekshirilgan) | Hech biri | Hech biri | Hech biri |
| Olti burchakli plitalar (yuqori intensivlikdagi yorug'lik bilan tekshirilgan) | Hech biri | Hech biri | Kümülatif maydon 10% |
| Politipli hududlar (yuqori intensivlikdagi yorug'lik bilan tekshiriladi) | Kümülatif maydon 5% | Kümülatif maydon 5% | Kümülatif maydon 10% |
| Chiziqlar (yuqori intensivlikdagi yorug'lik bilan tekshirilgan) | ≤ 5 ta tirnalish, umumiy uzunlik ≤ 150 mm | ≤ 10 ta tirnalish, umumiy uzunlik ≤ 200 mm | ≤ 10 ta tirnalish, umumiy uzunlik ≤ 200 mm |
| Qirralarni qirqish | Ruxsat berilmagan ≥ 0,5 mm kenglik va chuqurlik | 2 ta ruxsat berilgan, ≤ 1 mm kenglik va chuqurlik | 5 ga ruxsat berilgan, ≤ 5 mm kenglik va chuqurlik |
| Yuzaki ifloslanish (yuqori intensivlikdagi yorug'lik bilan tekshiriladi) | Hech biri | Hech biri | Hech biri |
Asosiy afzalliklar
Yuqori issiqlik samaradorligi: SiC ning yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi quvvat qurilmalarida samarali issiqlik tarqalishini ta'minlaydi, bu ularga yuqori quvvat darajalari va chastotalarda qizib ketmasdan ishlash imkonini beradi. Bu kichikroq, samaraliroq tizimlar va uzoqroq ishlash muddatiga olib keladi.
Yuqori parchalanish kuchlanishi: Silikonga nisbatan kengroq o'tkazuvchanlik diapazoniga ega bo'lgan SiC plitalari yuqori kuchlanishli dasturlarni qo'llab-quvvatlaydi, bu ularni elektr transport vositalari, elektr tarmoqlari tizimlari va qayta tiklanadigan energiya tizimlari kabi yuqori parchalanish kuchlanishlariga bardosh berishi kerak bo'lgan quvvatli elektron komponentlar uchun ideal qiladi.
Quvvat yo'qotilishining kamayishi: SiC qurilmalarining past qarshilik va tez almashtirish tezligi ish paytida energiya yo'qotilishining kamayishiga olib keladi. Bu nafaqat samaradorlikni oshiradi, balki ular joylashtirilgan tizimlarning umumiy energiya tejashini ham oshiradi.
Qattiq muhitlarda ishonchlilikni oshirish: SiC ning mustahkam material xususiyatlari unga yuqori harorat (600°C gacha), yuqori kuchlanish va yuqori chastotalar kabi ekstremal sharoitlarda ishlash imkonini beradi. Bu SiC plastinkalarini sanoat, avtomobil va energetika sohalarida talabchan qo'llanmalar uchun mos qiladi.
Energiya samaradorligi: SiC qurilmalari an'anaviy kremniy asosidagi qurilmalarga qaraganda yuqori quvvat zichligini taklif etadi, bu esa elektr elektron tizimlarining o'lchamini va og'irligini kamaytiradi va ularning umumiy samaradorligini oshiradi. Bu qayta tiklanadigan energiya va elektr transport vositalari kabi dasturlarda xarajatlarni tejashga va atrof-muhitga ta'sirni kamaytiradi.
Masshtablash imkoniyati: HPSI SiC plastinkasining 3 dyuymli diametri va aniq ishlab chiqarish bardoshliligi uning ommaviy ishlab chiqarish uchun masshtablanishini ta'minlaydi, ham tadqiqot, ham tijorat ishlab chiqarish talablariga javob beradi.
Xulosa
3 dyuymli diametri va 350 µm ± 25 µm qalinligi bilan HPSI SiC plastinkasi yuqori samarali elektr elektron qurilmalarning keyingi avlodi uchun optimal materialdir. Uning issiqlik o'tkazuvchanligi, yuqori parchalanish kuchlanishi, past energiya yo'qotilishi va ekstremal sharoitlarda ishonchlilikning noyob kombinatsiyasi uni energiyani konvertatsiya qilish, qayta tiklanadigan energiya, elektr transport vositalari, sanoat tizimlari va telekommunikatsiya sohalarida turli xil qo'llanmalar uchun muhim komponentga aylantiradi.
Ushbu SiC plastinkasi, ayniqsa, yuqori samaradorlik, energiya tejash va tizim ishonchliligini oshirishga intilayotgan sohalar uchun juda mos keladi. Quvvat elektronikasi texnologiyasi rivojlanishda davom etar ekan, HPSI SiC plastinkasi keyingi avlod energiya tejaydigan yechimlarini ishlab chiqish uchun asos yaratadi va yanada barqaror, kam uglerodli kelajakka o'tishni rag'batlantiradi.
Batafsil diagramma
