English

SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym

SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym Tavsiya etilgan rasm
  • SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym
  • SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym
  • SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym
  • SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym
  • SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym
  • SiC gofret 4H-N 6H-N HPSI 4H-yarim 6H-yarim 4H-P 6H-P 3C turi 2 dyuym 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym

Qisqacha tavsif:

Biz yuqori sifatli SiC (Silicon Carbide) plitalarining xilma-xil tanlovini taklif etamiz, xususan, N-turdagi 4H-N va 6H-N plitalariga e'tibor qaratamiz, ular ilg'or optoelektronika, quvvat qurilmalari va yuqori haroratli muhitlarda qo'llanilishi uchun idealdir. Ushbu N-turdagi plitalar o'zining ajoyib issiqlik o'tkazuvchanligi, ajoyib elektr barqarorligi va ajoyib chidamliligi bilan mashhur bo'lib, ularni quvvat elektronikasi, elektr transport vositalarini boshqarish tizimlari, qayta tiklanadigan energiya invertorlari va sanoat quvvat manbalari kabi yuqori samarali dasturlar uchun juda mos qiladi. N-turdagi takliflarimizdan tashqari, biz yuqori chastotali va RF qurilmalari, shuningdek, fotonik dasturlar kabi ixtisoslashgan ehtiyojlar uchun P-turdagi 4H/6H-P va 3C SiC plitalarini ham taqdim etamiz. Bizning plitalarimiz 2 dyuymdan 8 dyuymgacha bo'lgan o'lchamlarda mavjud va biz turli sanoat tarmoqlarining o'ziga xos talablariga javob beradigan moslashtirilgan yechimlarni taqdim etamiz. Qo'shimcha ma'lumot yoki savollar uchun biz bilan bog'laning.


Xususiyatlari

Mulklar

4H-N va 6H-N (N-turdagi SiC plitalari)

Ilova:Asosan quvvat elektronikasi, optoelektronika va yuqori haroratli dasturlarda qo'llaniladi.

Diametr oralig'i:50,8 mm dan 200 mm gacha.

Qalinligi:350 μm ± 25 μm, ixtiyoriy qalinligi 500 μm ± 25 μm.

Qarshilik:N-turdagi 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-darajali), ≤ 0.3 Ω·cm (P-darajali); N-turdagi 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (Z-darajali), ≤ 1 mΩ·cm (P-darajali).

Qattiqlik:Ra ≤ 0,2 nm (CMP yoki MP).

Mikro quvur zichligi (MPD):< 1 dona/sm².

TTV: Barcha diametrlar uchun ≤ 10 μm.

Burilish: ≤ 30 μm (8 dyuymli plastinkalar uchun ≤ 45 μm).

Chegara istisnosi:Plitaning turiga qarab 3 mm dan 6 mm gacha.

Qadoqlash:Ko'p vafli kassetali yoki bitta vafli idish.

Mavjud o'lcham 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym

HPSI (Yuqori poklikdagi yarim izolyatsiyalovchi SiC plitalari)

Ilova:Yuqori qarshilik va barqaror ishlashni talab qiladigan qurilmalar, masalan, RF qurilmalari, fotonik ilovalar va sensorlar uchun ishlatiladi.

Diametr oralig'i:50,8 mm dan 200 mm gacha.

Qalinligi:Standart qalinligi 350 μm ± 25 μm, 500 μm gacha qalinroq plitalar uchun variantlar mavjud.

Qattiqlik:Ra ≤ 0,2 nm.

Mikro quvur zichligi (MPD): ≤ 1 dona/sm².

Qarshilik:Yuqori qarshilik, odatda yarim izolyatsiyalash ishlarida qo'llaniladi.

Burilish: ≤ 30 μm (kichik o'lchamlar uchun), katta diametrlar uchun ≤ 45 μm.

TTV: ≤ 10 mkm.

Mavjud o'lcham 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym 8 dyuym

4H-P、6H-P&3C SiC gofret(P-turdagi SiC plitalari)

Ilova:Asosan quvvat va yuqori chastotali qurilmalar uchun.

Diametr oralig'i:50,8 mm dan 200 mm gacha.

Qalinligi:350 μm ± 25 μm yoki moslashtirilgan variantlar.

Qarshilik:P-turi 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z-darajali), ≤ 0.3 Ω·cm (P-darajali).

Qattiqlik:Ra ≤ 0,2 nm (CMP yoki MP).

Mikro quvur zichligi (MPD):< 1 dona/sm².

TTV: ≤ 10 mkm.

Chegara istisnosi:3 mm dan 6 mm gacha.

Burilish: Kichik o'lchamlar uchun ≤ 30 μm, katta o'lchamlar uchun ≤ 45 μm.

Ohter mavjud o'lcham 3 dyuym 4 dyuym 6 dyuym5×5 10×10

Qisman ma'lumotlar parametrlari jadvali

Mulk

2 dyuym

3 dyuym

4 dyuym

6 dyuym

8 dyuym

Turi

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C;

4H-N/HPSI/4H-YARIM

Diametri

50,8 ± 0,3 mm

76,2±0,3 mm

100±0.3 mm

150±0.3 mm

200 ± 0,3 mm

Qalinligi

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

yoki moslashtirilgan

yoki moslashtirilgan

yoki moslashtirilgan

yoki moslashtirilgan

yoki moslashtirilgan

Qo'pollik

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Deformatsiya

≤ 30 um

≤ 30 um

≤ 30 um

≤ 30 um

≤45um

TTV

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

Chizish/Qazish

CMP/MP

MPD

<1ea/sm-2

<1ea/sm-2

<1ea/sm-2

<1ea/sm-2

<1ea/sm-2

Shakl

Dumaloq, yassi 16 mm; uzunligi 22 mm; uzunligi 30/32.5 mm; uzunligi 47.5 mm; CHEKISH; CHEKISH;

Qiyalik

45°, YARIM Spec; C shakli

 Baho

MOS&SBD uchun ishlab chiqarish darajasi; Tadqiqot darajasi; Soxta daraja, Urug'lik gofret darajasi

Izohlar

Diametri, qalinligi, yo'nalishi, yuqoridagi xususiyatlar sizning talabingiz bo'yicha moslashtirilishi mumkin

 

Ilovalar

·Quvvatli elektronika

N tipidagi SiC plitalari yuqori kuchlanish va yuqori tokni boshqarish qobiliyati tufayli elektr elektron qurilmalarida juda muhimdir. Ular odatda qayta tiklanadigan energiya, elektr transport vositalari va sanoat avtomatlashtirish kabi sohalar uchun quvvat konvertorlari, invertorlar va motorli drayverlarda qo'llaniladi.

· Optoelektronika
N tipidagi SiC materiallari, ayniqsa optoelektronika qo'llanmalari uchun, yorug'lik chiqaradigan diodlar (LED) va lazer diodlari kabi qurilmalarda qo'llaniladi. Ularning yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi va keng o'tkazuvchanlik diapazoni ularni yuqori samarali optoelektronika qurilmalari uchun ideal qiladi.

·Yuqori haroratli dasturlar
4H-N 6H-N SiC plastinkalari yuqori haroratli muhitlar uchun, masalan, yuqori haroratlarda issiqlik tarqalishi va barqarorligi juda muhim bo'lgan aerokosmik, avtomobil va sanoat qo'llanmalarida ishlatiladigan sensorlar va quvvat qurilmalari uchun juda mos keladi.

·RF qurilmalari
4H-N 6H-N SiC plastinkalari yuqori chastotali diapazonlarda ishlaydigan radiochastotali (RF) qurilmalarda qo'llaniladi. Ular yuqori energiya samaradorligi va ishlashi talab qilinadigan aloqa tizimlarida, radar texnologiyalarida va sun'iy yo'ldosh aloqalarida qo'llaniladi.

·Fotonik ilovalar
Fotonika sohasida SiC plastinkalari fotodetektorlar va modulyatorlar kabi qurilmalar uchun ishlatiladi. Materialning noyob xususiyatlari unga optik aloqa tizimlari va tasvirlash qurilmalarida yorug'lik hosil qilish, modulyatsiya qilish va aniqlashda samarali bo'lish imkonini beradi.

·Sensorlar
SiC plitalari turli xil sensorli dasturlarda, ayniqsa boshqa materiallar ishdan chiqishi mumkin bo'lgan qattiq muhitlarda qo'llaniladi. Bularga avtomobilsozlik, neft va gaz hamda atrof-muhit monitoringi kabi sohalarda zarur bo'lgan harorat, bosim va kimyoviy sensorlar kiradi.

·Elektr transport vositalarini boshqarish tizimlari
SiC texnologiyasi elektr transport vositalarida haydovchi tizimlarining samaradorligi va ish faoliyatini yaxshilash orqali muhim rol o'ynaydi. SiC quvvat yarimo'tkazgichlari yordamida elektr transport vositalari batareya quvvatini yaxshiroq ishlatishi, tezroq zaryadlash vaqti va energiya samaradorligini oshirishi mumkin.

·Murakkab sensorlar va fotonik konvertorlar
Ilg'or sensor texnologiyalarida SiC plastinalari robototexnika, tibbiy asboblar va atrof-muhit monitoringi sohalarida qo'llaniladigan yuqori aniqlikdagi sensorlarni yaratish uchun ishlatiladi. Fotonik konvertorlarda SiC ning xususiyatlari elektr energiyasini optik signallarga samarali aylantirish imkonini berish uchun ishlatiladi, bu esa telekommunikatsiya va yuqori tezlikdagi internet infratuzilmasida juda muhimdir.

Savol-javob

Q4H SiC da 4H nima?
A4H SiC dagi "4H" kremniy karbidining kristall tuzilishini, xususan, to'rtta qatlamli (H) olti burchakli shaklni anglatadi. "H" olti burchakli politip turini bildiradi va uni 6H yoki 3C kabi boshqa SiC politiplaridan ajratib turadi.

Q4H-SiC ning issiqlik o'tkazuvchanligi qanday?
A4H-SiC (kremniy karbidi) ning issiqlik o'tkazuvchanligi xona haroratida taxminan 490-500 Vt/m·K ni tashkil qiladi. Bu yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi uni samarali issiqlik tarqalishi juda muhim bo'lgan elektr elektronikasi va yuqori haroratli muhitlarda qo'llash uchun ideal qiladi.

  • Oldingi:
  • Keyingisi:

    • Tegishli mahsulotlar

    Xabaringizni shu yerga yozing va bizga yuboring
    Qidiruv uchun Enter tugmasini yoki yopish uchun ESC tugmasini bosing