2 dyuymli 50,8 mm germaniy gofretli substrat yagona kristalli 1SP 2SP

Qisqa Tasvir:

Yuqori toza germaniy yarimo'tkazgichli qurilmalar ishlab chiqarishda ishlatiladigan yarimo'tkazgich materialidir.Izga xos aralashmalar bilan qo'shilgan germanium monokristalidan turli xil tranzistorlar, rektifikatorlar va boshqa qurilmalarni ishlab chiqarish uchun foydalanish mumkin.Yuqori tozalikdagi germaniy yagona kristalli yuqori sinishi koeffitsientiga ega, infraqizilga shaffof, ko'rinadigan va infraqizil nurlar orqali emas, infraqizil nur uchun prizma yoki linza sifatida ishlatilishi mumkin.Germaniy birikmalari lyuminestsent plitalar va turli yuqori refraktiv shisha ishlab chiqarishda qo'llaniladi.Bundan tashqari, u radiatsiya detektorlari va termoelektrik materiallarda qo'llaniladi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Batafsil ma'lumot

Germaniy chiplari yarimo'tkazgich xususiyatlariga ega.Qattiq jismlar fizikasi va qattiq jismlar elektronikasining rivojlanishida muhim rol o'ynadi.Germaniyning erish zichligi 5,32 g/sm 3 ni tashkil qiladi, germaniy yupqa sochilgan metall sifatida tasniflanishi mumkin, germaniy kimyoviy barqarorligi, xona haroratida havo yoki suv bug'lari bilan ta'sir qilmaydi, lekin 600 ~ 700 ℃ haroratda germaniy dioksidi tezda hosil bo'ladi. .Xlorid kislotasi, suyultirilgan sulfat kislota bilan ishlamaydi.Konsentrlangan sulfat kislota qizdirilganda germaniy asta-sekin eriydi.Nitrat kislota va akva regiyada germaniy osongina eriydi.Ishqor eritmasining germaniyga ta'siri juda zaif, ammo havodagi erigan ishqor germaniyni tez erishi mumkin.Germaniy uglerod bilan ishlamaydi, shuning uchun u grafit tigelda eritiladi va uglerod bilan ifloslanmaydi.Germaniy yaxshi yarimo'tkazgich xususiyatlariga ega, masalan, elektron harakatchanligi, teshik harakatchanligi va boshqalar.Germaniyning rivojlanishi hali ham katta imkoniyatlarga ega.

Spetsifikatsiya

O'sish usuli	CZ
kristall instutu	Kub tizimi
Panjara doimiysi	a=5,65754 Å
Zichlik	5,323 g/sm3
Erish nuqtasi	937,4 ℃
Doping	Dopingni bekor qilish	Doping-Sb	Doping-Ga
Turi	/	N	P
qarshilik	＞35 Ō sm	0,01 ~ 35 Ō sm	0,05 ~ 35 Ō sm
EPD	＜4×10³∕sm2	＜4×10³∕sm2	＜4×10³∕sm2
Diametri	2 dyuym/50,8 mm
Qalinligi	0,5 mm, 1,0 mm
Yuzaki	DSP va SSP
Orientatsiya	<100>,<110>,<111>,±0,5º
Ra	≤5Å（5µm×5µm）
Paket	100 darajali paket, 1000 sinf xonasi