4H-N 8 dyuymli SiC substratli gofret Silikon karbid qo'g'irchoqli tadqiqot darajasi 500 um qalinligi

4H-N 8 dyuymli SiC substratli gofret kremniy karbidli qo'g'irchoq tadqiqot darajasi 500 um qalinlikdagi Tavsiya etilgan rasm

Qisqacha tavsif:

Silikon karbid gofretlari quvvat diodlari, MOSFETlar, yuqori quvvatli mikroto'lqinli qurilmalar va RF tranzistorlari kabi elektron qurilmalarda qo'llaniladi, bu energiyani samarali aylantirish va quvvatni boshqarish imkonini beradi. SiC gofretlari va substratlari avtomobil elektronikasi, aerokosmik tizimlar va qayta tiklanadigan energiya texnologiyalarida ham qo'llaniladi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Silikon karbid gofretlari va SiC substratlarini qanday tanlaysiz?

Silikon karbid (SiC) gofretlari va substratlarini tanlashda bir nechta omillarni hisobga olish kerak. Mana bir nechta muhim mezonlar:

Material turi: 4H-SiC yoki 6H-SiC kabi ilovangizga mos keladigan SiC materialining turini aniqlang. Eng ko'p ishlatiladigan kristall strukturasi 4H-SiC.

Doping turi: Doping yoki qo'shilmagan SiC substrati kerakligini hal qiling. Umumiy doping turlari sizning maxsus talablaringizga qarab N-turi (n-doping) yoki P-tipi (p-doping) hisoblanadi.

Kristal sifati: SiC gofretlari yoki substratlarining kristal sifatini baholang. Kerakli sifat nuqsonlar soni, kristallografik orientatsiya va sirt pürüzlülüğü kabi parametrlar bilan aniqlanadi.

Gofret diametri: ilovangiz asosida mos gofret hajmini tanlang. Umumiy o'lchamlarga 2 dyuym, 3 dyuym, 4 dyuym va 6 dyuym kiradi. Diametri qanchalik katta bo'lsa, har bir gofretdan shunchalik ko'p hosil olishingiz mumkin.

Qalinligi: SiC gofretlari yoki substratlarining kerakli qalinligini hisobga oling. Odatda qalinligi variantlari bir necha mikrometrdan bir necha yuz mikrometrgacha.

Orientatsiya: Ilovangiz talablariga mos keladigan kristallografik orientatsiyani aniqlang. Umumiy yo'nalishlarga 4H-SiC uchun (0001) va 6H-SiC uchun (0001) yoki (0001̅) kiradi.

Yuzaki tugatish: SiC gofretlari yoki substratlarining sirtini baholang. Sirt silliq, jilolangan va tirnalgan yoki ifloslantiruvchi moddalarsiz bo'lishi kerak.

Yetkazib beruvchining obro'si: Yuqori sifatli SiC gofretlari va substratlarini ishlab chiqarishda katta tajribaga ega bo'lgan nufuzli yetkazib beruvchini tanlang. Ishlab chiqarish imkoniyatlari, sifat nazorati va mijozlarning sharhlari kabi omillarni ko'rib chiqing.

Xarajat: Xarajat oqibatlarini, shu jumladan gofret yoki substrat narxini va har qanday qo'shimcha moslashtirish xarajatlarini ko'rib chiqing.

Ushbu omillarni diqqat bilan baholash va tanlangan SiC gofretlari va substratlar sizning maxsus dastur talablariga javob berishiga ishonch hosil qilish uchun sanoat mutaxassislari yoki etkazib beruvchilar bilan maslahatlashish muhimdir.