SiC gofretlari kremniy karbididan tayyorlangan yarim o'tkazgichlardir.Ushbu material 1893 yilda ishlab chiqilgan va turli xil ilovalar uchun idealdir.Ayniqsa, Schottky diodlari, ulanish to'sig'i Schottky diodlari, kalitlari va metall-oksidli yarimo'tkazgichli dala effektli tranzistorlar uchun javob beradi.Yuqori qattiqligi tufayli u quvvat elektron komponentlari uchun ajoyib tanlovdir.
Hozirgi vaqtda SiC gofretlarining ikkita asosiy turi mavjud.Birinchisi, silliqlangan gofret bo'lib, u bitta kremniy karbidli gofretdir.U yuqori toza SiC kristallaridan tayyorlangan va diametri 100 mm yoki 150 mm bo'lishi mumkin.U yuqori quvvatli elektron qurilmalarda qo'llaniladi.Ikkinchi tur epitaksial kristalli silikon karbid gofretidir.Ushbu turdagi gofret sirtga bir qatlamli silikon karbid kristallarini qo'shish orqali amalga oshiriladi.Ushbu usul materialning qalinligini aniq nazorat qilishni talab qiladi va N tipidagi epitaksiya deb nomlanadi.
Keyingi tur beta kremniy karbiddir.Beta SiC 1700 darajadan yuqori haroratlarda ishlab chiqariladi.Alfa karbidlar eng keng tarqalgan bo'lib, wurtsitga o'xshash olti burchakli kristall tuzilishga ega.Beta shakli olmosga o'xshaydi va ba'zi ilovalarda qo'llaniladi.Bu har doim elektr transport vositasining yarim tayyor mahsulotlari uchun birinchi tanlov bo'lib kelgan.Bir nechta uchinchi tomon kremniy karbid gofret yetkazib beruvchilari hozirda ushbu yangi material ustida ishlamoqda.
ZMSH SiC gofretlari juda mashhur yarimo'tkazgichli materiallardir.Bu ko'plab ilovalar uchun juda mos bo'lgan yuqori sifatli yarim o'tkazgich materialidir.ZMSH silikon karbid gofretlari turli xil elektron qurilmalar uchun juda foydali materialdir.ZMSH keng assortimentdagi yuqori sifatli SiC gofretlari va substratlarini yetkazib beradi.Ular N tipidagi va yarim izolyatsiyalangan shakllarda mavjud.
2 --- Silikon karbid: gofretlarning yangi davri sari
Kremniy karbidning fizik xususiyatlari va xususiyatlari
Silikon karbid olmosga o'xshash olti burchakli yaqin o'ralgan strukturadan foydalangan holda maxsus kristall tuzilishga ega.Ushbu struktura silikon karbidning mukammal issiqlik o'tkazuvchanligiga va yuqori haroratga chidamliligiga imkon beradi.An'anaviy kremniy materiallari bilan solishtirganda, silikon karbid kattaroq tarmoqli bo'shlig'iga ega, bu esa yuqori elektron tarmoqli oralig'ini ta'minlaydi, natijada elektronning yuqori harakatchanligi va qochqin oqimining past bo'lishiga olib keladi.Bundan tashqari, silikon karbid ham yuqori elektron to'yinganlik tezligiga va materialning o'ziga nisbatan past qarshilikka ega bo'lib, yuqori quvvatli ilovalar uchun yaxshi ishlashni ta'minlaydi.
Silikon karbid gofretlarini qo'llash holatlari va istiqbollari
Quvvat elektroniği ilovalari
Silikon karbid gofreti energiya elektronikasi sohasida keng qo'llanilishi mumkin.Yuqori elektron harakatchanligi va mukammal issiqlik o'tkazuvchanligi tufayli SIC gofretlari elektr transport vositalari va quyosh invertorlari uchun quvvat modullari kabi yuqori quvvatli zichlikdagi kommutatsiya qurilmalarini ishlab chiqarish uchun ishlatilishi mumkin.Silikon karbid gofretlarining yuqori harorat barqarorligi ushbu qurilmalarni yuqori haroratli muhitda ishlashga imkon beradi, bu esa yuqori samaradorlik va ishonchlilikni ta'minlaydi.
Optoelektronik ilovalar
Optoelektronik qurilmalar sohasida kremniy karbidli gofretlar o'zlarining noyob afzalliklarini ko'rsatadi.Silikon karbid materiali keng tarmoqli oralig'i xususiyatlariga ega, bu esa optoelektronik qurilmalarda yuqori fotonon energiyasiga va kam yorug'lik yo'qotilishiga erishishga imkon beradi.Silikon karbid gofretlari yuqori tezlikdagi aloqa qurilmalari, fotodetektorlar va lazerlarni tayyorlash uchun ishlatilishi mumkin.Uning mukammal issiqlik o'tkazuvchanligi va past kristalli nuqson zichligi uni yuqori sifatli optoelektronik qurilmalarni tayyorlash uchun ideal qiladi.
Outlook
Yuqori samarali elektron qurilmalarga talab ortib borayotganligi sababli, silikon karbid gofretlari mukammal xususiyatlarga va keng qo'llanilishi mumkin bo'lgan material sifatida istiqbolli kelajakka ega.Tayyorlash texnologiyasini doimiy ravishda takomillashtirish va tannarxni pasaytirish bilan silikon karbid gofretlarini tijorat maqsadlarida qo'llash targ'ib qilinadi.Kelgusi bir necha yil ichida silikon karbid gofretlari asta-sekin bozorga kirishi va yuqori quvvat, yuqori chastotali va yuqori haroratli ilovalar uchun asosiy tanlovga aylanishi kutilmoqda.
3 --- SiC gofret bozori va texnologiya tendentsiyalarini chuqur tahlil qilish
Silikon karbid (SiC) gofret bozorining drayverlarini chuqur tahlil qilish
Silikon karbid (SiC) gofret bozorining o'sishiga bir nechta asosiy omillar ta'sir qiladi va ushbu omillarning bozorga ta'sirini chuqur tahlil qilish juda muhimdir.Mana bozorning asosiy omillaridan ba'zilari:
Energiyani tejash va atrof-muhitni muhofaza qilish: Silikon karbid materiallarining yuqori ishlashi va kam quvvat iste'moli xususiyatlari uni energiya tejash va atrof-muhitni muhofaza qilish sohasida mashhur qiladi.Elektr transport vositalari, quyosh invertorlari va boshqa energiya konvertatsiya qilish moslamalariga bo'lgan talab kremniy karbidli gofretlar bozorining o'sishiga olib keladi, chunki bu energiya chiqindilarini kamaytirishga yordam beradi.
Power Electronics ilovalari: Silikon karbid quvvat elektroniği ilovalarida ustunlik qiladi va yuqori bosim va yuqori haroratli muhitda quvvat elektronikasida ishlatilishi mumkin.Qayta tiklanadigan energiyani ommalashtirish va elektr energiyasiga o'tishni rag'batlantirish bilan energiya elektroniği bozorida silikon karbid gofretlariga talab ortib bormoqda.
SiC gofretlari kelajakdagi ishlab chiqarish texnologiyasini rivojlantirish tendentsiyasini batafsil tahlil qilish
Ommaviy ishlab chiqarish va xarajatlarni kamaytirish: Kelajakda SiC gofret ishlab chiqarish ommaviy ishlab chiqarish va xarajatlarni kamaytirishga ko'proq e'tibor qaratadi.Bu samaradorlikni oshirish va ishlab chiqarish xarajatlarini kamaytirish uchun kimyoviy bug'larni cho'ktirish (CVD) va jismoniy bug'larni joylashtirish (PVD) kabi takomillashtirilgan o'sish usullarini o'z ichiga oladi.Bundan tashqari, aqlli va avtomatlashtirilgan ishlab chiqarish jarayonlarini qabul qilish samaradorlikni yanada oshirishi kutilmoqda.
Yangi gofret o'lchami va tuzilishi: SiC gofretlarining o'lchami va tuzilishi kelajakda turli xil ilovalar ehtiyojlarini qondirish uchun o'zgarishi mumkin.Bu ko'proq dizayn moslashuvchanligi va ishlash imkoniyatlarini ta'minlash uchun katta diametrli gofretlarni, heterojen tuzilmalarni yoki ko'p qatlamli gofretlarni o'z ichiga olishi mumkin.
Energiya samaradorligi va yashil ishlab chiqarish: Kelajakda SiC gofretlarini ishlab chiqarish energiya samaradorligi va yashil ishlab chiqarishga ko'proq e'tibor beradi.Qayta tiklanadigan energiya, yashil materiallar, chiqindilarni qayta ishlash va kam uglerodli ishlab chiqarish jarayonlari bilan ishlaydigan zavodlar ishlab chiqarish tendentsiyalariga aylanadi.
Xabar vaqti: 2024 yil 19-yanvar