SiC kremniy karbidqurilma xom ashyo sifatida kremniy karbiddan tayyorlangan qurilmaga ishora qiladi.
Turli qarshilik xususiyatlariga ko'ra, u o'tkazuvchan silikon karbid quvvat qurilmalariga va bo'linadiyarim izolyatsiyalangan silikon karbidRF qurilmalari.
Kremniy karbidning asosiy qurilma shakllari va qo'llanilishi
SiC ning asosiy afzalliklariSi materiallariquyidagilar:
SiC Si dan 3 baravar ko'p tarmoqli bo'shlig'iga ega, bu oqishni kamaytirishi va haroratga chidamliligini oshirishi mumkin.
SiC Si dan 10 baravar ko'p parchalanish maydoniga ega, oqim zichligini, ish chastotasini yaxshilaydi, kuchlanish quvvatiga bardosh bera oladi va yuqori kuchlanishli ilovalar uchun ko'proq mos keladi.
SiC elektron to'yinganlik tezligi Si dan ikki baravar yuqori, shuning uchun u yuqori chastotada ishlashi mumkin.
SiC issiqlik o'tkazuvchanligi Si dan 3 baravar yuqori, issiqlik tarqalish ko'rsatkichi yaxshiroq, yuqori quvvat zichligini qo'llab-quvvatlaydi va issiqlik tarqalishi talablarini kamaytiradi, bu esa qurilmani engilroq qiladi.
Supero'tkazuvchilar substrat
Supero'tkazuvchi substrat: kristallning o'ziga xos yuqori qarshiligiga erishish uchun kristalldagi turli xil aralashmalarni, ayniqsa sayoz darajadagi aralashmalarni olib tashlash orqali.
Supero'tkazuvchilarsilikon karbid substratSiC gofreti
Supero'tkazuvchi kremniy karbid quvvat qurilmasi o'tkazuvchan substratda silikon karbid epitaksial qatlamining o'sishi orqali, kremniy karbid epitaksial qatlam keyinchalik qayta ishlanadi, shu jumladan Schottky diodlari, MOSFET, IGBT va boshqalarni ishlab chiqarish, asosan elektr transport vositalarida, fotovoltaik quvvatda ishlatiladi. ishlab chiqarish, temir yo'l tranziti, ma'lumotlar markazi, zaryadlash va boshqa infratuzilma. Ishlashning afzalliklari quyidagilardan iborat:
Kengaytirilgan yuqori bosim xususiyatlari. Silikon karbidning parchalanish elektr maydonining kuchi kremniynikidan 10 baravar ko'proqdir, bu silikon karbid qurilmalarining yuqori bosimga chidamliligini ekvivalent kremniy qurilmalariga qaraganda ancha yuqori qiladi.
Yaxshiroq yuqori harorat xususiyatlari. Silikon karbid kremniyga qaraganda yuqori issiqlik o'tkazuvchanligiga ega, bu esa qurilmaning issiqlik tarqalishini osonlashtiradi va chegara ish haroratini oshiradi. Yuqori haroratga chidamlilik quvvat zichligining sezilarli darajada oshishiga olib kelishi mumkin, shu bilan birga sovutish tizimiga qo'yiladigan talablarni kamaytiradi, shuning uchun terminal yanada engilroq va miniatyuralashtirilgan bo'lishi mumkin.
Kam energiya sarfi. ① Silikon karbid qurilmasi juda past qarshilikka va kam yo'qotishga ega; (2) silikon karbid qurilmalarining qochqin oqimi kremniy qurilmalariga qaraganda sezilarli darajada kamayadi va shu bilan quvvat yo'qotilishini kamaytiradi; ③ Kremniy karbid qurilmalarini o'chirish jarayonida hozirgi qoldiq hodisasi mavjud emas va kommutatsiya yo'qotilishi past bo'lib, bu amaliy ilovalarning kommutatsiya chastotasini sezilarli darajada yaxshilaydi.
Yarim izolyatsiyalangan SiC substrat
Yarim izolyatsiyalangan SiC substrati: N doping azot doping konsentratsiyasi, o'sish tezligi va kristall qarshiligi o'rtasidagi mos keladigan munosabatni kalibrlash orqali o'tkazuvchan mahsulotlarning qarshiligini aniq nazorat qilish uchun ishlatiladi.
Yuqori toza yarim izolyatsiyalovchi substrat materiali
Yarim izolyatsiyalangan kremniy uglerod asosidagi RF qurilmalari, asosan, 5G aloqalarida, transport vositalarida ishlatiladigan HEMT va boshqa galyum nitridi RF qurilmalarini o'z ichiga olgan kremniy nitridi epitaksial varaqni tayyorlash uchun yarim izolyatsiyalangan kremniy karbid substratida galyum nitridi epitaksial qatlamini o'stirish orqali amalga oshiriladi. mudofaa ilovalari, ma'lumotlarni uzatish, aerokosmik.
Silikon karbid va galyum nitridi materiallarining to'yingan elektron drift tezligi mos ravishda kremniydan 2,0 va 2,5 baravar, shuning uchun silikon karbid va galiy nitridi qurilmalarining ish chastotasi an'anaviy kremniy qurilmalariga qaraganda kattaroqdir. Shu bilan birga, galyum nitrit moddasi zaif issiqlikka chidamliligining kamchiliklariga ega, silikon karbid esa yaxshi issiqlikka chidamliligi va issiqlik o'tkazuvchanligiga ega, bu esa galyum nitridi qurilmalarining yomon issiqlikka chidamliligini qoplashi mumkin, shuning uchun sanoat substrat sifatida yarim izolyatsiyalangan silikon karbidni oladi. , va gan epitaksial qatlam RF qurilmalarini ishlab chiqarish uchun silikon karbid substratida o'stiriladi.
Agar huquqbuzarlik bo'lsa, kontaktni o'chiring
Yuborilgan vaqt: 2024 yil 16 iyul