3 dyuymli Dia76,2 mm SiC substratlari HPSI Prime Research va Dummy darajasi

Supero'tkazuvchilar substrat: 15 ~ 30 mŌ-sm kremniy karbid substratining qarshiligiga ishora qiladi.Supero'tkazuvchi silikon karbid substratidan o'stirilgan silikon karbid epitaksial gofreti yangi energiya vositalari, fotovoltaiklar, aqlli tarmoqlar va temir yo'l transportida keng qo'llaniladigan quvvat qurilmalariga aylantirilishi mumkin.

Yarim izolyatsion substrat asosan galyum nitridi mikroto'lqinli radiochastota qurilmalarini ishlab chiqarishda ishlatiladigan 100000Ō sm silikon karbid substratidan yuqori qarshilikka ishora qiladi, simsiz aloqa maydonining asosi hisoblanadi.

Bu simsiz aloqa sohasidagi asosiy komponent hisoblanadi.

Silikon karbid o'tkazuvchan va yarim izolyatsiyalovchi substratlar keng doiradagi elektron qurilmalar va quvvat qurilmalarida qo'llaniladi, shu jumladan, lekin ular bilan cheklanmagan:

Yuqori quvvatli yarimo'tkazgichli qurilmalar (o'tkazgich): Silikon karbid substratlari yuqori parchalanish maydoni kuchiga va issiqlik o'tkazuvchanligiga ega va yuqori quvvatli tranzistorlar va diodlar va boshqa qurilmalarni ishlab chiqarish uchun javob beradi.

RF elektron qurilmalari (yarim izolyatsiyalangan): Silikon karbid substratlari yuqori kommutatsiya tezligi va quvvat bardoshliligiga ega, RF quvvat kuchaytirgichlari, mikroto'lqinli qurilmalar va yuqori chastotali kalitlar kabi ilovalar uchun mos keladi.

Optoelektronik qurilmalar (yarim izolyatsiyalangan): Silikon karbid substratlari fotodiodlar, quyosh batareyalari va lazer diodlari va boshqa qurilmalarni ishlab chiqarish uchun mos bo'lgan keng energiya bo'shlig'iga va yuqori issiqlik barqarorligiga ega.

Harorat sensorlari (o'tkazuvchan): Silikon karbid tagliklari yuqori issiqlik o'tkazuvchanligi va issiqlik barqarorligiga ega, yuqori haroratli sensorlar va haroratni o'lchash asboblarini ishlab chiqarish uchun mos keladi.

Silikon karbid o'tkazuvchan va yarim izolyatsiyalovchi substratlarni ishlab chiqarish jarayoni va qo'llanilishi elektron qurilmalar va quvvat qurilmalarini rivojlantirish uchun yangi imkoniyatlarni ta'minlovchi keng maydon va potentsiallarga ega.