Mikroelektronika va radiochastota uchun silikon-on-izolyatorli substrat SOI gofreti uch qatlamli

Mikroelektronika va radiochastota uchun mo'ljallangan uchta qatlamli kremniyli izolyatorli substrat SOI gofreti

Qisqa Tasvir:

SOI to'liq nomi Silicon On Isolator, izolyator ustidagi kremniy tranzistor tuzilishining ma'nosi, printsipi silikon tranzistor o'rtasida, izolyator materialini qo'shish, ikkalasi orasidagi parazit sig'imni asl nusxadan ikki baravar kam qilish mumkin.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Gofret qutisi bilan tanishtirish

Bizning ilg'or Silicon-On-Izolyator (SOI) gofretimiz bilan tanishtiramiz, u uch xil qatlam bilan sinchkovlik bilan ishlab chiqilgan, mikroelektronika va radiochastota (RF) ilovalarida inqilob.Ushbu innovatsion substrat misli ko'rilmagan ishlash va ko'p qirralilikni ta'minlash uchun yuqori kremniy qatlamini, izolyatsion oksid qatlamini va pastki kremniy substratni birlashtiradi.

Zamonaviy mikroelektronika talablari uchun ishlab chiqilgan bizning SOI gofretimiz yuqori tezlik, quvvat samaradorligi va ishonchliligi bilan murakkab integral mikrosxemalarni (IC) ishlab chiqarish uchun mustahkam poydevor yaratadi.Yuqori kremniy qatlami murakkab elektron komponentlarning uzluksiz integratsiyasini ta'minlaydi, izolyatsion oksid qatlami esa parazitar sig'imni kamaytiradi va qurilmaning umumiy ish faoliyatini yaxshilaydi.

RF ilovalari sohasida bizning SOI gofretimiz past parazit sig'imi, yuqori parchalanish kuchlanishi va mukammal izolyatsiyalash xususiyatlari bilan ajralib turadi.RF kalitlari, kuchaytirgichlar, filtrlar va boshqa RF komponentlari uchun ideal bo'lgan ushbu substrat simsiz aloqa tizimlarida, radar tizimlarida va boshqalarda optimal ishlashni ta'minlaydi.

Bundan tashqari, bizning SOI gofretimizning o'ziga xos radiatsiya bardoshliligi uni aerokosmik va mudofaa dasturlari uchun ideal qiladi, bu erda og'ir muhitda ishonchlilik muhim ahamiyatga ega.Uning mustahkam qurilishi va ajoyib ishlash xususiyatlari ekstremal sharoitlarda ham barqaror ishlashni kafolatlaydi.

Asosiy xususiyatlar:

Uch qatlamli arxitektura: Yuqori kremniy qatlami, izolyatsion oksidli qatlam va pastki silikon substrat.

Mikroelektronikaning yuqori ishlashi: yuqori tezlik va quvvat samaradorligi bilan ilg'or IC-larni ishlab chiqarishga imkon beradi.

Zo'r RF ishlashi: past parazit sig'im, yuqori buzilish kuchlanishi va RF qurilmalari uchun yuqori izolyatsiya xususiyatlari.

Aerokosmik darajadagi ishonchlilik: O'ziga xos radiatsiya bardoshliligi og'ir muhitda ishonchlilikni ta'minlaydi.

Ko'p qirrali ilovalar: Telekommunikatsiya, aerokosmik, mudofaa va boshqalarni o'z ichiga olgan keng ko'lamli sanoat uchun javob beradi.

Ilg'or Silicon-On-Izolyator (SOI) gofretimiz yordamida mikroelektronika va RF texnologiyasining keyingi avlodini sinab ko'ring.Bizning ilg'or substrat yechimimiz yordamida innovatsiyalar uchun yangi imkoniyatlarni oching va ilovalaringizda taraqqiyotga erishing.