SOI gofret izolyatori kremniyli 8 dyuymli va 6 dyuymli SOI (silicon-on-isolator) gofretlarida

Silikon 8 dyuymli va 6 dyuymli SOI (silicon-on-izolyator) gofretlaridagi SOI gofret izolyatori Tavsiya etilgan rasm

Qisqa Tasvir:

Silicon-on-isolator (SOI) gofreti uchta alohida qatlamdan iborat bo'lib, mikroelektronika va radiochastota (RF) ilovalari sohasida asosiy tosh sifatida paydo bo'ladi.Ushbu abstrakt ushbu innovatsion substratning asosiy xususiyatlarini va turli xil qo'llanilishini yoritadi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Gofret qutisi bilan tanishtirish

Yuqori kremniy qatlami, izolyatsion oksid qatlami va pastki kremniy substratdan iborat bo'lgan uch qatlamli SOI gofreti mikroelektronika va RF domenlarida misli ko'rilmagan afzalliklarni taqdim etadi.Yuqori sifatli kristalli kremniyni o'z ichiga olgan yuqori kremniy qatlami murakkab elektron komponentlarni aniqlik va samaradorlik bilan birlashtirishni osonlashtiradi.Parazitar sig'imni kamaytirish uchun sinchkovlik bilan ishlab chiqilgan izolyatsion oksid qatlami kiruvchi elektr shovqinlarini yumshatish orqali qurilmaning ishlashini yaxshilaydi.Pastki silikon substrat mexanik yordam beradi va mavjud kremniyni qayta ishlash texnologiyalari bilan muvofiqligini ta'minlaydi.

Mikroelektronikada SOI gofreti yuqori tezlik, quvvat samaradorligi va ishonchliligi bilan ilg'or integral mikrosxemalarni (IC) ishlab chiqarish uchun asos bo'lib xizmat qiladi.Uning uch qatlamli arxitekturasi CMOS (Qo'shimcha metall oksidi-yarim o'tkazgich) IC, MEMS (Mikro-elektro-mexanik tizimlar) va quvvat qurilmalari kabi murakkab yarimo'tkazgich qurilmalarini ishlab chiqish imkonini beradi.

RF domenida SOI gofreti RF qurilmalari va tizimlarini loyihalash va amalga oshirishda ajoyib ishlashni namoyish etadi.Uning past parazit sig'imi, yuqori buzilish kuchlanishi va mukammal izolyatsiyalash xususiyatlari uni RF kalitlari, kuchaytirgichlar, filtrlar va boshqa RF komponentlari uchun ideal substrat qiladi.Bundan tashqari, SOI gofretining o'ziga xos radiatsiya bardoshliligi uni aerokosmik va mudofaa dasturlari uchun mos qiladi, bu erda og'ir muhitda ishonchlilik birinchi o'rinda turadi.

Bundan tashqari, SOI gofretining ko'p qirraliligi fotonik integral mikrosxemalar (PICs) kabi rivojlanayotgan texnologiyalarga taalluqlidir, bu erda optik va elektron komponentlarning yagona substratda integratsiyasi keyingi avlod telekommunikatsiya va ma'lumotlar kommunikatsiyalari tizimlari uchun va'da beradi.

Xulosa qilib aytganda, uch qatlamli Silicon-On-Izolyator (SOI) gofreti mikroelektronika va RF ilovalaridagi innovatsiyalarning boshida turadi.Uning noyob arxitekturasi va ajoyib ishlash xususiyatlari turli sohalardagi yutuqlarga yo'l ochadi, taraqqiyotni boshqaradi va texnologiya kelajagini shakllantiradi.