Yangiliklar
-
Supero'tkazuvchilar va yarim izolyatsiyalangan kremniy karbid substratlarini qo'llash
Silikon karbid substrati yarim izolyatsiyalovchi va o'tkazuvchan turlarga bo'linadi. Hozirgi vaqtda yarim izolyatsiyalangan silikon karbid substrat mahsulotlarining asosiy spetsifikatsiyasi 4 dyuymni tashkil qiladi. O'tkazuvchan silikon karbid ishlab chiqarishda...Ko'proq o'qish -
Turli xil kristall yo'nalishlariga ega sapfir plitalarini qo'llashda ham farqlar bormi?
Safir - bu alyuminiy oksidining bitta kristalli bo'lib, uch qismli kristall tizimiga, olti burchakli tuzilishga tegishli bo'lib, uning kristall tuzilishi uchta kislorod atomidan va kovalent bog'lanish turidagi ikkita alyuminiy atomidan iborat bo'lib, juda yaqin joylashgan, kuchli bog'lanish zanjiri va panjara energiyasiga ega, kristall esa...Ko'proq o'qish -
SiC o'tkazuvchan substrat va yarim izolyatsiyalangan substrat o'rtasidagi farq nima?
SiC kremniy karbid qurilmasi xom ashyo sifatida kremniy karbididan tayyorlangan qurilmani anglatadi. Turli qarshilik xususiyatlariga ko'ra, u o'tkazuvchan kremniy karbid quvvat qurilmalari va yarim izolyatsiyalangan kremniy karbid RF qurilmalariga bo'linadi. Asosiy qurilma shakllari va...Ko'proq o'qish -
Maqola sizni TGV ustasi sifatida tanishtiradi
TGV nima? TGV, (Shisha orqali), shisha substratda teshiklar yaratish texnologiyasi. Sodda qilib aytganda, TGV - bu shisha polda integral mikrosxemalar yaratish uchun oynani teshib, to'ldirib va yuqoriga va pastga ulaydigan baland qavatli bino...Ko'proq o'qish -
Plitalar yuzasi sifatini baholash ko'rsatkichlari qanday?
Yarimo'tkazgichlar texnologiyasining uzluksiz rivojlanishi bilan, yarimo'tkazgichlar sanoatida va hatto fotovoltaik sanoatida ham gofret substrati yoki epitaksial varaqning sirt sifatiga qo'yiladigan talablar juda qat'iy. Xo'sh, sifat talablari qanday...Ko'proq o'qish -
SiC monokristalli o'sish jarayoni haqida qancha ma'lumotga egasiz?
Silikon karbid (SiC), keng polosali bo'shliqli yarimo'tkazgich materialining bir turi sifatida, zamonaviy fan va texnologiyalarni qo'llashda tobora muhim rol o'ynaydi. Silikon karbid ajoyib issiqlik barqarorligiga, yuqori elektr maydon bardoshliligiga, qasddan o'tkazuvchanlikka va...Ko'proq o'qish -
Mahalliy SiC substratlarining yutuqli jangi
So'nggi yillarda, yangi energiya vositalari, fotovoltaik energiya ishlab chiqarish va energiya saqlash kabi quyi oqimdagi ilovalarning doimiy ravishda kirib borishi bilan, SiC yangi yarimo'tkazgich material sifatida ushbu sohalarda muhim rol o'ynaydi. Ko'ra...Ko'proq o'qish -
SiC MOSFET, 2300 volt.
26-kuni Power Cube Semi Janubiy Koreyaning birinchi 2300V SiC (kremniy karbid) MOSFET yarimo'tkazgichining muvaffaqiyatli ishlab chiqilganini e'lon qildi. Mavjud Si (kremniy) asosidagi yarimo'tkazgichlar bilan taqqoslaganda, SiC (kremniy karbid) yuqori kuchlanishlarga bardosh bera oladi, shuning uchun u ... deb nomlanadi.Ko'proq o'qish -
Yarimo'tkazgichlarni tiklash shunchaki xayolmi?
2021-yildan 2022-yilgacha COVID-19 avj olishi natijasida maxsus talablarning paydo bo'lishi tufayli global yarimo'tkazgichlar bozorida tez o'sish kuzatildi. Biroq, COVID-19 pandemiyasi keltirib chiqargan maxsus talablar 2022-yilning ikkinchi yarmida tugab, ... ga tushib ketdi.Ko'proq o'qish -
2024-yilda yarimo'tkazgichlarga kapital xarajatlar kamaydi
Chorshanba kuni Prezident Bayden Intelga CHIPS va Fan to'g'risidagi qonunga muvofiq 8,5 milliard dollarlik to'g'ridan-to'g'ri moliyalashtirish va 11 milliard dollarlik kreditlar berish to'g'risidagi kelishuvni e'lon qildi. Intel ushbu mablag'ni Arizona, Ogayo, Nyu-Meksiko va Oregon shtatlaridagi gofret fabrikalari uchun ishlatadi. Bizning xabarimizga ko'ra...Ko'proq o'qish -
SiC gofret nima?
SiC plitalari kremniy karbididan tayyorlangan yarimo'tkazgichlardir. Ushbu material 1893-yilda ishlab chiqilgan va turli xil ilovalar uchun idealdir. Ayniqsa, Schottky diodlari, ulanish to'sig'i Schottky diodlari, kalitlar va metall-oksid-yarim o'tkazgichli maydon effektli o'tkazgichlar uchun mos keladi...Ko'proq o'qish -
Uchinchi avlod yarimo'tkazgichi - kremniy karbidining chuqur talqini
Kremniy karbidiga kirish Kremniy karbidi (SiC) uglerod va kremniydan tashkil topgan aralash yarimo'tkazgich material bo'lib, yuqori haroratli, yuqori chastotali, yuqori quvvatli va yuqori kuchlanishli qurilmalarni ishlab chiqarish uchun ideal materiallardan biridir. An'anaviy ... bilan taqqoslagandaKo'proq o'qish